路透报导，中国科学家已打造出一个能够生产尖端晶片的机器原型。北京当局更已设定目标，要在2028年前使用这台原型机生产出可用晶片。中国在先进晶片制造上能因此迎头赶上吗？半导体专家指出，中国试图建立自主极紫外光刻机（EUV），但要进到真正量产，恐怕还有长达10年以上的路要走。
路透报导，消息人士透露，这台原型机今年初便已完成，目前正在测试中，而这台设备由荷兰半导体巨头艾司摩尔（ASML）的一个前工程师团队打造，他们对该公司的EUV进行了逆向工程。
深圳的这台设备据传已经可以运行，并能成功产生极紫外光，但尚未生产出可用的晶片。当局目标在2028年前使用这台原型机生产出可用晶片。不过，知情人士表示，更实际的时间表是2030年，而这仍比分析师预估的时间提前数年。
知情人士并将这形容为中国版的「曼哈顿计划」，也就是美国二战时研发核武的行动。北京的目标自然是让中国最终能够使用完全本土制造的设备，生产先进晶片，将美国100%踢出供应链。
对此，半导体设备商透露，半导体微影设备，最关键是试验场域，荷商艾司摩尔过去在浸润式曝光机，以193波长击溃日商，成为全球微影设备巨擘，就是有台积电强力支持，后来推进至极紫外光（EUV）微影设备，由高达40多万个精密元件组成，也是靠目前全球制程领先的晶圆厂支持。
中国受到美国禁止艾司摩尔将先进EUV输往中国，限制中国先进制程发展，甚至建立学习曲线，因此尽管透过不断淬炼的实验去达成高精度光学系统，试图建立自主EUV设备，但要进到真正量产，恐怕还有长达10年以上的路要走。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});