大陆在记忆体领域正展现出强劲的发展势头，长江存储新型记忆体堆叠层数达270层，接近三星电子水准，这项技术突破让竞争对手惊叹「没想到技术水平提高到这种程度」，也让南韩三星、日本铠侠坐立难安。
日经中文网报导，在中美对立的大背景下，长江存储借助大陆政府鼓励使用国产半导体的优惠政策，迅速提升技术实力，NAND销售市占首次超过全球10%。
根据Counterpoint数据，长江存储今年首季在全球NAND出货量中所占市占首次达到10%，第3季年增率更成长4个百分点至13%，直逼世界第4的美国美光科技。
以大陆品牌的笔电和智慧手机为中心，长江存储产品获采用数量不断增加，全年市占率可望超过一成。尽管目前销售额仅占全球8%。
长江存储目标是在2026年底前获得15%的销售市占，推动武汉周边工厂投资，完成后将占全球供应量2成左右，超过日本铠侠，直逼南韩SK海力士。
在DRAM领域，长鑫存储今年第3季市占率8%，居世界第4位，较2024年同期提升2个百分点，在大陆拥有约40%市占率，但在高频宽记忆体（HBM）技术方面落后5年。
大陆记忆体企业在价格上优势明显，NAND比其他国家生产的便宜一到两成左右，但由于美国在2022年将长江储存列为限制对象，日本企业也因担忧未积极采用。
但大陆在其他领域凭借价格竞争力获得海外市场。国际半导体产业协会分析指出，即使受到美国限制，大陆厂商良品率仍在增加。若价差持续，采用大陆记忆体恐成必然趋势。
此外，南韩记忆体晶片厂商虽在HBM市场占优，但原料与设备依赖海外，且缺乏混合键结核心专利，面临专利诉讼风险，而大陆相关专利快速成长，三星已跟长江存储签署相关专利授权协议。
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